国产DRAM将于下半年试产 19nm工艺

编辑:chenbx123 来源:U大侠 时间:2018-05-21

  最新消息。兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺,预计下半年试产,项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

  位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位,运营及研发团队全部入驻厂房办公区,今年下半年将投片试生产。

  内存国产化节奏的加快,国内多家厂商都公布了自己的DRAM内存生产计划。近日,长江存储也迎来了自己的首台光刻机,5月19日,光刻机已运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。

  据悉,长江存储的首台光刻机同样来自ASML,为193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,约人民币4.6亿元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

  随着国家政策的扶持以及更多资金的扶持,用上高品质国产内存将指日可待。

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