为了应对客户需求放缓导致的2019年上半年内存、闪存芯片降价，三星、SK Hynix两家韩国公司打算推迟产能扩张，暂停新工厂扩产计划。

　　业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

　　消息人士称全球NAND闪存在今年Q3季度中依然处于供过于求的状态，尽管这是传统旺季。供应商持续增加64层及72层堆栈的3D NAND闪存产能，再加上已经饱和的笔记本、智能手机市场导致的需求增长有限，这些都是NAND降价的原因。

　　此外，消息人士还提到市场上海充斥着不合格的NAND闪存芯片，这对闪存芯片价格进一步产生负面影响。Q3季度中NAND闪存价格可能会下跌10-15%，Q4季度中价格还会再降15%。

　　内存方面，DRAM合约价也出现了下跌迹象，消息人士称随着供过于求，预计Q4季度内存芯片价格也会开始下跌。

　　NAND闪存及DRAM内存价格将在2019年上半年遇到下行压力。

　　消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。

　　此外，三星还被曝暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划，原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。

　　消息人士称SK Hynix也计划放慢新的3D NAND芯片产能扩张的计划的步伐。

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