三星宣布，该公司将全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片。相较于目前的eUFS2.1，三星宣称eUFS3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s，提升2倍有余；随机读写速度分别为63000IOPS/68000IOPS（输入/输出），根据三星公布的数据，eUFS3.0闪存芯片比目前的eUFS2.1在随机读写速度方面提升36%。

　　三星透露，目前正在提升512GB与128GB UFS3.0闪存芯片产能，1TB和256GB容量版本预计今年下半年开始供货。

　　除了三星之外，东芝和西数也都发布了自家的eUFS3.0闪存产品。除了带宽更高之外，全新规范的闪存芯片在功耗和发热方面也得到进一步改善。

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